近日，索尼和镁光公司宣布其研发小组开发出高速、大容量ReRAM（可变电阻式存储器），该类型存储器填补了DRAM与NAND之间的性能鸿沟，有望提高整体系统性能。 　　  

　　新产品的容量为16Gbit，超过了目前的DRAM，而且具备超过NAND闪存的高速性。数据传输速度在读取时为1GB/秒，写入时为200MB/秒，访问等待时间在读取时为2 s，写入时为10 s。采用1GB/秒的DDR接口以及与DRAM接近的8存储体储存器架构，通过并联运行实现了高速化。 　　  

　　据悉，电阻变化元件采用CuTe膜和绝缘膜的双层构造，通过铜离子的移动在元件内部形成导电桥来改变电阻值。储存器单元由一个选择晶体管和电阻变化元件构成。采用27nm工艺、3层铜布线技术制造，单元面积为4374nm²，芯片面积为168mm²。 

中科院成都文献情报中心转载自：中国科学报