最近，中科大微电子学院左成杰教授研究团队在铌酸锂（LiNbO3）压电薄膜上设计并实现了高品质因数（Q值）超过100000的高频（6.5 GHz）微机电系统（MEMS）谐振器。相关成果2022年5月16日在线发表在电子器件领域知名期刊《IEEE Electron Device Letters》上。

由于国际上对6 GHz以上电磁波频谱的使用还存在争论，不同制式和频段间信号存在隔离需求。工作于6 GHz的Q值声波谐振器以及高性能滤波器将会成为下一阶段无线通信发展的关键技术，也是我国6G技术发展必须要自主可控的基础射频元器件与芯片。

研究人员提出了一种基于三维欧拉角 在x-cut单晶铌酸锂压电薄膜上设计并制备高频MEMS谐振器的方法。通过设计谐振器的电极结构，工作于6.5 GHz的S1振动模态被激发，并且当声波传播方向（ ）位于15 时，谐振器并联谐振频率（fp）处的品质因数（Qp）高达131540，对应的谐振器优值k2 Qp和fp Qp分别达到6300和8.6 1014Hz。

与近10年其它的工作在类似频段的谐振器比较，该新型MEMS谐振器把Q值提升了2个数量级，并且首次突破了谐振频率与Q值乘积（f Q）这一难以同步提升的谐振器优值极限。更重要的是，相关工作成功发现了利用三维欧拉角可以对铌酸锂薄膜介电损耗和声学损耗进行调控的新机理，为未来微纳器件在高频无线通信、医学超声成像、智能信息处理和物联网传感器等应用领域打开了更多的可能性。

信息来源：

http://news.ustc.edu.cn/info/1055/79227.htm

https://doi.org/10.1109/LED.2022.3175572