2022年1月13日，韩国三星电子公司发布了世界首个用于内存计算的非易失磁阻存储器（MRAM）交叉阵列，该研究成果于1月12日在《自然》杂志在线发表。

在标准计算机架构中，内存芯片存储数据，独立的处理器芯片进行数据计算。内存计算是一种全新计算模式，能在一个内存网络中同时执行数据存储和数据计算。无需移动数据就能高度并行处理大量数据，从而大大降低了功耗。内存计算已成为实现新一代低功耗AI半导体芯片的最有前景的一项技术，世界各国都在加紧研究内存计算技术。

以阻变随机存储器（RRAM）和相变随机存储器（PRAM）为代表的非易失性存储器已在内存计算领域得到广泛应用。而MRAM尽管具有运行速度快、耐用性强、可批量生产等优点，但由于电阻低，在标准的内存计算架构中无法降低功耗，因此，迄今还很难用于内存计算。

三星电子公司的研究人员此次提出的创新架构，成功通过新的“电阻和”内存计算架构取代标准的“电流和”内存计算架构，解决了单个MRAM设备电阻过小的问题。随后，研究人员测试了该MRAM内存计算芯片执行AI计算的性能。结果发现，该芯片对手写数字的分类准确率达到98%，从场景中识别人脸的准确率达到93%。

三星公司将已在系统半导体制造中实现商业规模生产的MRAM引入内存计算领域，拓展了下一代低功耗AI芯片技术的前沿。研究人员还提出，这种新的MRAM芯片不仅可以用于内存计算，还可以用作下载生物神经元网络的平台。

信息来源：

https://news.samsung.com/global/samsung-demonstrates-the-worlds-first-mram-based-in-memory-computing