《科学》杂志2020年5月22日发表了一篇题为《用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列》的论文，介绍了北京大学电子学系彭练矛院士和张志勇教授团队最新研发的多次提纯和维度限制自组装方法。研究团队利用该方法，在四英寸基底上制备出密度高达120/微米、半导体纯度超过99.9999%、直径分布1.45 0.23 nm的碳纳米管平行阵列，并在此基础上首次实现了性能超越同等栅长硅基CMOS技术的晶体管和电路，突破了长期以来阻碍碳纳米管电子学发展的瓶颈，首次在实验上显示了碳纳米管器件和集成电路相对于传统技术的性能优势，显示了碳纳米管电子学在其他材料中鲜有的优势，为推进碳基半导体技术的实用化和规模工业化奠定了基础。  

来源：《科学》