中国科学院5月11日宣布，该院所属中国科学技术大学完成一项最新研究，首次在类石墨烯单原子层半导体材料中发现非经典单光子发射，打开了通往新型光量子器件的新道路。 

　　　　自2004年有科学家成功制备石墨烯(即单原子层碳)以来，该材料的物理内涵和优异性质引发外界对基础和应用研究的热潮。但因石墨烯的电子结构中不具备能隙，限制了其在光电器件方面的应用。 

　　　　不过，新型的有直接带隙的类石墨烯材料“单原子层过渡金属硫化物”以其独特的光电性质受到关注。只是此前国际上所有关于单原子层二维材料的研究集中于经典光学领域，尚未在实验上观察到光子反聚束等量子光学现象。 

　　　　中国科学技术大学潘建伟、陆朝阳等与华盛顿大学许晓栋、香港大学姚望合作研究发现，二硒化钨(WSe2)二维单原子层中的原子缺陷能够束缚激子，成为非经典的单光子发射器，“和其他的单光子系统相比，这种基于单原子层的单光子器件不仅利于光子的读取和控制，还可方便地制备和实现与其他的光电器件平台结合”。 

　　　　这项研究意味着可以实现高效光量子信息处理线路。理论还表明，科学家通过控制电场，可实现对单电子自旋—谷耦合自由度的量子调控，“未来将应用于可容错量子计算的研究”。 

　　　　事实上，具有潜在前景的基于单原子层的量子调控领域已成为国际竞争焦点。潘建伟团队的研究成果5日在线发表于《自然 纳米技术》，法国强磁场国家实验室等三个欧美独立研究团队也有类似研究成果，但晚于中国团队投稿。 

　　　　值得一提的是，潘建伟团队在可扩展光量子信息处理技术的系统研究上已取得一批成果，包括在国际上首次实现单原子层半导体量子器件、实现量子人工智能算法实验等，在光量子信息领域保持着国际领先地位。